收藏本站
Si3402
5. Package Outline
Figure 5 illustrates the package details for the Si3402. Table 12 lists the values for the dimensions shown in the
illustration.
Figure 5. 20-Lead Quad Flat No-Lead Package (QFN)
Table 12. Package Dimensions
Dimension
A
A1
b
D
D2
e
E
E2
L
L1
aaa
bbb
ccc
ddd
Min
0.80
0.00
0.25
2.60
2.60
0.50
0.00
—
—
—
—
Nom
0.85
0.02
0.30
5.00 BSC.
2.70
0.80 BSC.
5.00 BSC.
2.70
0.55
—
—
—
—
—
Max
0.90
0.05
0.35
2.80
2.80
0.60
0.10
0.10
0.10
0.08
0.10
Notes:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This drawing conforms to the JEDEC Solid State Outline MO-220, Variation VHHB-1.
16
Rev. 1.31
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI3460-EVB BOARD EVAL POE FOR SI3460
SI8220BD-A-IS IC ISODRIVER 2.5A OPTO IN 16SOIC
SI8402AB-B-IS IC I2C ISOLATOR BIDIR 8-SOIC
SI8405AB-A-IS1 IC ISOLATOR 10M 6CH 2.5K 16SOIC
SI8423BD-B-IS ISOLATOR 2CH 5KV 150M 16SOIC
SI8435BB-C-IS1 IC ISOLATOR DGTL 3CH 16SOIC
SI8442BB-C-IS1 IC ISOLATOR DGTL 4CH 16SOIC
SI8451BB-A-IS1 IC ISOLATOR DGTL 5CH 16SOIC
相关代理商/技术参数
Si3402ISO-EVB 功能描述:电源管理IC开发工具 PoE Pwrd-Isolated Low-EMI Eval Board RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V
SI3403-A-GM 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:POE POWERED DEVICE (UP TO 17W, LOW-EMI) - RECOMMENDED FOR AL - Trays 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC POE CTLR TO 17W LOW EMI 20QFN 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:PoE Powered Device (up to 17W, low-EMI)
Si3403-A-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:POE POWERED DEVICE (UP TO 17W, LOW-EMI) - RECOMMENDED FOR AL - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:PoE Powered Device (up to 17W, low-EMI)
SI3403DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 5.0A 3.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3403DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 5.0A 3.2W 70mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3407DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si3407DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 8.0A 4.2W 24mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3407DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 8.0A 4.2W 37mohm @ 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube